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在rom存儲器中必須有什么電路（在rom存儲器中必須有什么電路需要刷新的是什么）

發(fā)布時間：2023-05-22 21:59:21 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 51

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本文目錄:

2010計算機組成原理
在存儲器中必須有什么的電路
存儲器中必須有什么電路
在ROM存儲器中必須有什么電路
在rom存儲器中必須有什么電路需要刷新的是

在rom存儲器中必須有什么電路（在rom存儲器中必須有什么電路需要刷新的是什么）

2010計算機組成原理

1.在ROM存儲器中必須有＿電路。
A. 數(shù)據(jù)寫入 B.再生 C. 地址譯碼 D.刷新
2.在指令“Add@R,AD”中(@表示間接尋址)，源操作數(shù)在前，目的操作數(shù)在后，該指令執(zhí)行的操
作是＿
A. ((R))+(Ad)——>(Ad) B.((R))+(Ad)——>Ad
C.(R)+((Ad))——>(Ad) D.((R))+((Ad))——>Ad
3.若某數(shù)x的真值為-1.1010，則該數(shù)所用的編碼為＿
A. 原碼 B.補碼 C.反碼 D.移碼
4.馮•諾依曼機工作的基本方式的特點是＿
A.多指令流單數(shù)據(jù)流 B. 按地址訪問并順序執(zhí)行指令
C 堆棧操作 D 存儲器按內(nèi)容選擇地址
5.float型數(shù)據(jù)通常用IEEE 754單精度浮點數(shù)格式表示,若編譯器將float型變量x分配在一個32位浮點寄存器FRI中，且x=-8.25.則FR1的內(nèi)容是_
A. C104 000H B.C242 000H C. C184 000H D.CIC2 000H
6.動態(tài)存儲器DRAM的刷新原則是
A.各DRAM芯片輪流制新
B.各DRAM芯片同時刷新。片內(nèi)逐位制新
C.各DRAM芯片同時刷新，片內(nèi)逐字刷新
D. 各DRAM芯片同時刷獲，片內(nèi)進行刷新
7.主存儲器和CPU之間增加Cache的目的是
A. 解決CPU和主存之間的速度區(qū)配問題
B.擴大主存儲器的容量
C.擴大CPU中通用寄存器的數(shù)量
D.既擴大主存器容量又?jǐn)U大CPU通用寄存器數(shù)量
8.計算機操作的最小時間單位是
A. 時鐘周期 B.指令周期 C. CPU周期 D. 外圍設(shè)備
9.微程序控制器中，機器指令與微指令的關(guān)系是
A.每一條機器指令由一條微指令來執(zhí)行
B. 每一條機器指令由一段用微指令編成的微程序來解釋執(zhí)行
C.一段機器指令組成的程序可由一條微指令來執(zhí)行
D.一條微指令由若干條機器指令組成

10.系統(tǒng)總線中地址線功用是
A.用于選擇主存單元
B.用于選擇進行信息傳輸?shù)脑O(shè)備
C. 用于指定主存單元和I/0設(shè)備接口電路的地址
D.用于傳送主存物理地址和邏輯地址

二、填空題(共20分，每空1分。答案一律寫在等題紙上，否則無效。)
1.動態(tài)RAM的刷新包括____ ____ 和____ 三種方式. 分散刷新、集中刷新、異步刷新
2.影響流水線性能的因素有____ ____ 和____ . 數(shù)據(jù)相關(guān)，控制相關(guān)，資源相關(guān)
3.主存儲器一般采用____ 存儲器,CAchE采用____ 存儲器。動態(tài)RAM, 靜態(tài)RAM
4.CPU從主存取出一條指令并執(zhí)行該指令的全部時間叫做____ ,它通常包含若干個____ ,而后者又包含若干個____ . 指令周期、機器周期，時鐘周期
5、CPU的基本功能是____ ,____ ,____ ,____ 和____ . 指令控制、操作控制，時間控制.數(shù)據(jù)加工、中斷處理
6.指令通常由____ 和____ 兩部分組成。操作碼，地址碼
7.控制存儲器呈微程序控制器的核心部件，它存儲著與全部機器指令對應(yīng)的____ ,它的每個單元中存儲一條____ . 微程序、微指令

三、名詞解釋(共30分每題6分。答案一律寫在答題紙上否則無效，)
1.同步通信: 總線上的部件通過總線進行信息傳送時，用一個公共的時鐘信號進行同步，這種方式稱為同步通信。這個公共的時鐘信號可以由總線控制部件發(fā)送到每一個部件或設(shè)備，也可以每個部件有自己的時鐘發(fā)生器，但是，它們都必須由CPU發(fā)出的時鐘信號進行同步。

2.正邏輯: 正邏輯是把邏輯電路中電平的高低和邏鎮(zhèn)變量值0, 1聯(lián)系起來的一種概念，指定邏輯電路中高電平為“1”，低電平為“0”，移為正邏輯

3.存取時間: 存取時間又稱存儲器訪向時間，是指啟動一次存儲器操作到完成該燥作所需的時間。具體地說，存取時間從存儲器收到有效地址開始，經(jīng)過譯，驅(qū)動。直到將被訪問的存儲單元的內(nèi)容讀出成寫入為止。

4.接口: 接口是計算機系統(tǒng)總線與外圍設(shè)備之間的一個邏輯部件，它的基本功能有兩點：一是為信息傳輸操作選擇外圍設(shè)備，二是在選定的外圍設(shè)備和主機之間交換信息，保證外圍設(shè)備用計算機系統(tǒng)特性所要求的形式發(fā)送或接信息。

5.計算機硬件: 是指組成一臺計算機的各種物理裝置，它們是由各種實實在在的器件組成的，是計算機進行工作的物質(zhì)基礎(chǔ)。計算機的硬件由輸入設(shè)各，輸出設(shè)備、運算器，存儲器和控制器五部分組成。

四、簡答題(共50分.每題10分.答案一律寫在答題紙上否則無效。)
1.海明校驗碼的編碼規(guī)則有哪些?
若海明碼的最高位號為m最低位號為1，即Hn Hn-1....H2,H1;則海明碼的編碼規(guī)則是: (1)校驗位與數(shù)據(jù)位之和為m，每個校驗位Pi在海明碼中被分在位號2i-1的位置上，其余各位為數(shù)據(jù)位，并按從低向高逐位依次排列的關(guān)系分配各數(shù)據(jù)位。 (2)海明碼的每位位碼Hi (包括數(shù)據(jù)位和校驗位) 由多個校驗位校驗，其關(guān)系是被校驗的每一位位號要等于校驗它的各校驗位的位號之和。

2.簡述CRC碼的糾錯原理。
CRC碼是種糾錯能力較強的編碼，在進行校驗時，將CRC碼多項式與生成多項式G(X)相除，若余數(shù)為0，則表明數(shù)據(jù)正確;當(dāng)余數(shù)不為0時，說明數(shù)據(jù)有錯。只要選擇適當(dāng)?shù)纳墒马検紾(x)，余數(shù)與GRC碼出錯位位置的對應(yīng)關(guān)系是一定的，由此可以用余數(shù)作為依據(jù)判斷出錯位置從而糾正錯碼。

3.主存的基本組成有哪些部分?各部分主要的功能是什么?
主存儲器的基本組成： (1)貯存信息的存儲體。一般是一個全體基本存儲單元按照一定規(guī)則排列起來的存儲陣列。存儲體是存儲器的核心。 (2)信息的尋址機構(gòu)，即讀出和寫入信息的地址選擇機構(gòu)。這包括：地址寄存器(MAR)和地址譯碼器。地址譯碼器完成地址譯碼，地址寄存器具有地址緩沖功能。 (3)存儲器數(shù)據(jù)寄存器MDR.在數(shù)據(jù)傳送中可以起數(shù)據(jù)緩沖作用。 (4)寫入信息所需的能源，即寫入線路、寫驅(qū)動器等。 (5)讀出所需的能源和讀出放大器，即讀出線路、讀驅(qū)動器和讀出放大器。 (6)存儲器控制部件。包括主存時序錢路、時鐘脈沖線路、讀邏輯控制線路。寫或重寫邏輯控制線路以及動態(tài)存儲器的定時刷新線路等，這些線路總稱為存儲器控制部件。

4.靜態(tài)MOS存儲元，動態(tài)MOS存儲元各有什么特點?
在MOS半導(dǎo)體存儲器中，根據(jù)存儲信息機構(gòu)的原理不同，又分為靜態(tài)MOS存儲器(SRAM)和動態(tài)MOS存儲器(DRAM),前者利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，只要不斷電，信息不會丟失，后者利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需不斷給電容充電才能使信息保持。

5 Cache有哪些特點?
(1)位于CPU與主存之間,是存儲器層次結(jié)構(gòu)中級別最高的一級. (2)容最比主存小,目前一般有數(shù)KB到數(shù)MB, (3)速度一般比主存快5-10倍，通常由存儲速度高的雙極型三極管或SRAM 組成. (4)其容量是主存的部分副本. (5)可用來存放指今,也可用來存放數(shù)據(jù). (6)快存的功能全部由硬件實現(xiàn).并対程序是透明.

五、分析與計算題(共30分第一小題14分，第二小題16分。答案一律寫在答題紙上，否則無效)
1.指令流水線有取指(IF)、譯碼(ID)、執(zhí)行(EX)、訪存(MEM)、寫回寄存器堆(WB)五個過程段，共有20條指令連續(xù)輸入此流水線。
(1)畫出流水處理的時空圖，假設(shè)時鐘周期為100ns。
(2)求流水線的實際吞吐率(單位時間里執(zhí)行完畢的指令數(shù))。
(3)求流水線的加速比。

(2) 流水線的實際吞吐量：執(zhí)行20條指令共用 5 + 1 x 9 = 24 個流水周期，共2400ns，所以實際吞吐率為：20/(2400×10^(-9) )≈8.333百萬條指令/秒
(3) 流水線的加速比為：設(shè)流水線操作周期為τ，則n指令串行經(jīng)過k個過程段的時間為n*k*τ ；而n條指令經(jīng)過可并行的k段流水線時所需的時間為(k+n-1)*τ；故20條指令經(jīng)過5個過程段的加速比為：(20×5×τ)/((5+19)×τ)≈4.17

2.某磁盤組有6片磁盤，每片可有2個記錄面，存儲區(qū)域內(nèi)徑為22cm，外徑為33cm，道密度40道/cm，內(nèi)層位密度400b/cm，轉(zhuǎn)速2400 r/min。試問：
　　(1) 共有多少個存儲面可用？
　　(2) 共有多少個圓柱面？
　　(3) 整個磁盤組的總存儲總量有多少？
　　(4) 數(shù)據(jù)傳送率是多少？
　　(5) 如果某文件長度超過一個磁盤的容量，應(yīng)將它記錄在同一存儲面上還是記錄在同一圓柱面上？為什么？
　　(6) 如果采用定長信息塊記錄格式，直接尋址的最小單位是什么？尋址命令中如何表示磁盤地址？
（1）6×2＝12（面），共有12個存儲面可用
（2）40×（33－22）/2＝220（道），共有220個圓柱面
（3）12×22π×400×220＝73×106（位）
（4）數(shù)據(jù)傳送率＝（22π×400）/（60/2400）＝1.1×106（b/s）＝0.138×106（B/s）
（5）如果某文件長度超過一個磁道的容量，應(yīng)將它記錄在同一個柱面上，因為不需要重新找道，數(shù)據(jù)讀/寫速度快。
（6）如果采用定長信息塊記錄格式，直接尋址的最小單位是扇區(qū)。磁盤地址：驅(qū)動器號、圓柱面號、盤面號、扇區(qū)號。

在存儲器中必須有什么的電路

在存儲器中，必須有存儲單元的電路，存儲單元是用于存儲二進制數(shù)據(jù)單元的基本結(jié)構(gòu)。
存儲單元有兩種類型：靜態(tài)存儲單元（SRAM）和動態(tài)存儲單元（DRAM）。二者的差別在于，SRAM使用的是邏輯門電路實現(xiàn)存儲，因此存儲速度更快，但占用面積更大，功耗更高；而DRAM則使用電容器來實現(xiàn)存儲，面積較小，功耗較低，但速度較慢。
無論是SRAM還是DRAM，存儲單元內(nèi)的電路都必須具備存放、讀取、寫入操作的功能，以及控制電路、時序電路等輔助電路。這些電路主要包括傳輸門、傳輸選通器、寫入使能器、位選器、行選器等等，它們的作用是在存儲單元與計算機系統(tǒng)的其他硬件之間進行信號的傳輸、選擇和控制。

存儲器中必須有什么電路

1 存儲器中必須有讀寫電路和控制電路。
2 讀寫電路是用來讀取和寫入數(shù)據(jù)的，可以將內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)傳輸?shù)紺PU或者從CPU傳輸數(shù)據(jù)到存儲器中。
控制電路是用來控制整個存儲器的操作，例如存儲器的啟動、停止、刷新等操作。
3 此外，存儲器中還必須有存儲單元，可以存儲二進制數(shù)字，并且每個存儲單元應(yīng)該有一個唯一的地址，以便于CPU訪問和操作存儲器中的數(shù)據(jù)。

在rom存儲器中必須有什么電路（在rom存儲器中必須有什么電路需要刷新的是什么）