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2023優(yōu)化設(shè)計歷史電子版（歷史2021優(yōu)化設(shè)計電子版）
發(fā)布時間：2023-04-14 10:22:28
稿源：
創(chuàng)意嶺 閱讀：
86
大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于2023優(yōu)化設(shè)計歷史電子版的問題，以下是小編對此問題的歸納整理，讓我們一起來看看吧。
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本文目錄:
化設(shè)計歷史電子版（歷史2021優(yōu)化設(shè)計電子版）.jpg)
一、Intel 3、Intel 18A都是啥？英特爾2025制程路線圖淺析
英特爾CEO基辛格曾經(jīng)表示，希望在2025年英特爾能夠重返產(chǎn)品領(lǐng)導者的地位，而就在上個月，英特爾在活動上正式透露了2025年目標計劃，包括未來5代工藝制程節(jié)點線路圖，通過彪悍的戰(zhàn)略意圖超越所有競爭對手，順帶還重新定義命名規(guī)則。
如同80486到奔騰，從奔騰到酷睿，每一次英特爾重大改名決策背后，幾乎都會帶來一段強勁的技術(shù)飛躍。這一次，就讓我們抽點時間，聊聊英特爾的2025路線圖應(yīng)該怎么理解。
先說結(jié)果
如果你想簡單了解整件事情，那么下面的表格應(yīng)該可以幫助你最簡單了解英特爾的時間節(jié)點。與往常一樣，英特爾的技術(shù)用于生產(chǎn)和零售之間是有區(qū)別的。例如每個工藝節(jié)點可能存在數(shù)年，新的工藝與是否投入到實際產(chǎn)品中仍然要看市場運營狀況，這里你可以理解為AMD再加把勁，讓英特爾的牙膏擠猛一點。
回顧今年早些時候基辛格給出的IDM2.0戰(zhàn)略，你可以理解在戰(zhàn)略中一共3個要素，分別是：
可以看到第一點和第三點英特爾都在著重強調(diào)如何貫徹自己的工藝節(jié)點開發(fā)節(jié)奏，基辛格在近期的2021第三季度財報前瞻電話會議中曾表示，目前英特爾每天生產(chǎn)的10nm晶圓已經(jīng)超過14nm，這標志著英特爾已經(jīng)實現(xiàn)了向10nm工藝制程的轉(zhuǎn)變。同時在今年6月份，英特爾還表示下一代10nm產(chǎn)品還需要額外的驗證時間，以簡化2022年在企業(yè)級產(chǎn)品上的部署。
（手機橫屏觀看更佳）
仍然需要注意，雖然英特爾一直在強調(diào)10nm工藝制程與對等產(chǎn)品的優(yōu)越性，但臺積電7nm和5nm的設(shè)計在事實上已經(jīng)超過了英特爾量產(chǎn)芯片的晶體管密程度，并在出貨量上超越了英特爾，這也是為什么基辛格全力推動英特爾內(nèi)部全面改革，并獲得董事會支持的動力所在。
Pat Gelsinger
因此這一次路線圖的公布就變得非常重要了，這將代表著英特爾未來4年的戰(zhàn)略節(jié)奏，或者調(diào)侃一點說是擠牙膏的進度。從整體上來看，英特爾正在積極改進新品提升進度，以及讓技術(shù)之間更為模塊化匹配更為成熟。
在IDM 2.0戰(zhàn)略中推動整套技術(shù)發(fā)展的實操人是去年被任命為英特爾技術(shù)與制造總經(jīng)理安凱樂（Ann B. Kelleher），這個部門在2020年7月份成立，專注純粹的技術(shù)開發(fā)，安凱樂本人在英特爾已經(jīng)擔任了26年工程師，先后管理過Fab 24（愛爾蘭），F(xiàn)ab 12（美國亞利桑那），F(xiàn)ab 11X（美國新墨西哥州），以及在英特爾總部擔任過制造與運營部門總經(jīng)理。
Ann B. Kelleher
在會議上，安凱樂博士表示，已經(jīng)在供應(yīng)商、生態(tài)系統(tǒng)學習、組織架構(gòu)、模塊化設(shè)計策略、應(yīng)急計劃上做出了重大改變，同時技術(shù)團隊也將以更精簡的方式運行。英特爾將重返技術(shù)領(lǐng)先地位目標定義為“每瓦性能指標”表現(xiàn)，也意味著芯片的峰值性能仍然是英特爾發(fā)展戰(zhàn)略重要計劃的一部分。
Fab 11X
接下來，開始我們的長篇大論。
英特爾工藝制程新命名：重新定義有多小
英特爾重新命名工藝制程名稱目的是更好的符合現(xiàn)在的行業(yè)命名方式，顯然在營銷手段上，打不過對方耍流氓，最有效的方式就是加入對方，并在其中依靠業(yè)界領(lǐng)導能力重塑業(yè)界規(guī)則，這一點英特爾是相當有魄力的。
其實在大眾認知中，英特爾10nm技術(shù)等同于臺積電7nm已經(jīng)不再陌生，2D平面轉(zhuǎn)向3D FinFET的時候，數(shù)字表達和物理情況之間再無直接關(guān)聯(lián)，在三星帶頭下淪為營銷工具，這樣的混亂已經(jīng)持續(xù)了五年之久。
現(xiàn)在我們先把英特爾公布的線路圖放出來：
2020年，英特爾10nm SuperFin。 應(yīng)用于Tiger Lake和Xe-LP獨立顯卡解決方案SG1和DG1，名稱保持不變。
2021年下半年，Intel 7。 應(yīng)用于Alder Lake和Sapphire Rapids至強可擴展處理器，以前被稱為10nm Enhanced Super Fin，相當于10nm制程的晶體管優(yōu)化產(chǎn)品，每瓦性能相對10nm SuperFin提升10%到15%。其中Alder Lake已經(jīng)開始批量試產(chǎn)，也就是我們所期待的即將翻盤的12代酷睿。同時在GPU方面，英特爾Xe-HP也劃入Intel 7的范疇中。
2022年下半年，Intel 4。 在此之前被稱為Intel 7nm，應(yīng)用于Meteor Lake和下下一代至強可擴展處理器，目前正在實驗室測試階段。英特爾預計每瓦性能能夠比上一代提升20%。Intel 4主要會在后端制程（BEOL）中使用更多的極紫外光刻（EUV）。
2023年下半年，Intel 3。 此前稱為Intel 7nm+，將增加EUV和高密度庫（High Density Libraries）的使用。這里英特爾新模塊化戰(zhàn)略將會起到作用，例如Intel 3和Intel 4制程將共享一些特性。相對Intel 4，Intel 3每瓦能夠提升約18%。
2024年，Intel 20A。 從這里開始就是英特爾制程的轉(zhuǎn)折點，A代表埃米Ångström，10Å等于1nm，在此之前被稱為Intel 5nm。由于英特爾在這個時間點將從FinFET轉(zhuǎn)向RibbonFET，即環(huán)繞柵極晶體管設(shè)計（GAAFET）方向，原來的5nm稱呼其實是不準確的。與此同時，英特爾還在這一代工藝上使用PowerVia技術(shù)，將供電模塊與計算模塊盡可能分離，確保信號不受到干擾
2025年，Intel 18A。 無論是技術(shù)溝通會議，還是ChinaJoy2021現(xiàn)場英特爾產(chǎn)品總監(jiān)的分享，分享細節(jié)基本到Intel 20A就結(jié)束了，但實際上在2025年之后英特爾工藝制程還將邁入Intel 18A。這里將使用ASML最新的EUV光刻機High-NA，能夠進行更精確的光刻操作。英特爾表示他們已經(jīng)成為ASML在High-NA方面的主要合作伙伴，現(xiàn)在已經(jīng)開始測試第一臺High-NA模型。
如果我們把上述的資料進行簡略整理，能夠看到一個很清晰的思路：
仍然需要注意的是，上面的時間節(jié)點只代表工藝節(jié)點可能準備就緒的時間，實際產(chǎn)品發(fā)布仍然會有變數(shù)。例如采用Intel 7工藝的Alder Lake是今年到明年初CES上市，而Sapphire Rapids則可能會到2022年。
為什么要給制程工藝重新命名？
這可能是大多數(shù)玩家最關(guān)心的一點。無論是英特爾還是對手三星、臺積電，用更小的工藝密度名稱來展現(xiàn)產(chǎn)品競爭力仍然是主流做法，如果英特爾使用類似臺積電、三星奔放的工藝制程命名規(guī)則，可能實際操作中市場部仍然需要表達在同等制程稱呼下，英特爾的晶體管密度仍然高很多。
因此切換命名賽道可能才是一個最理智的做派，并且也能很好表達在工藝節(jié)點沒有提升的情況下，實際表現(xiàn)仍然有明顯的進步。以Intel 7為例，原來冗長的名稱為10nm Enhanced Super Fin，相當于10nm Super Fin的進階產(chǎn)品，聽起來似乎英特爾又在擠牙膏了。
實際上并非如此，比如10nm到10nm Super Fin看似只加長了命名，實際上使用了新的SuperMIM電容器設(shè)計，并帶來了1GHz以上的頻率提升，因此10nm Super Fin到Intel 7之間也注定意味最終性能上的變化。從目前的初步判斷來看，每一代工藝的進步，至少可以帶來5%到10%的每瓦性能提升，變化很明顯。
事實上這套命名思路已經(jīng)被三星和臺積電玩的爐火純青，例如三星會在8LPP節(jié)點設(shè)計的基礎(chǔ)上，不斷的優(yōu)化，進而衍生出6LPP、5LPE和4LPE，只有到3GAE的時候才會完成全新的技術(shù)迭代。同樣，臺積電10nm、7nm實際上是16nm工藝的優(yōu)化設(shè)計，屬于同一個工藝制程節(jié)點范圍內(nèi)。但如果看英特爾從Intel 7到Intel 3之間的發(fā)展，將會完成2個，以更快的速度完成工藝迭代，也就是英特爾重返巔峰的重要舉措之一。
說個題外話，如果當年英特爾將14nm+改名為13nm，14nm++改名12nm，在臺積電批量出貨5nm產(chǎn)品之前，也許英特爾的處境看起來似乎也沒什么太大的問題。
ASML扮演關(guān)鍵角色
在英特爾的報告中，我們會發(fā)現(xiàn)ASML無論在任何時間節(jié)點都變得非常關(guān)鍵。由于它是目前世界上唯一一家能夠給英特爾提供生產(chǎn)機器的公司，英特爾也注定要在ASML上花費大量的資金，以及持續(xù)的技術(shù)投入。
在這個即將接近“上帝穹頂”的半導體工藝制程領(lǐng)域里，指望一家獨大完全是異想天開，早在2021年，英特爾、三星、臺積電都對ASML進行了投資，目的就是加速EUV開發(fā)，同時將300mm晶圓遷移到4500mm晶圓上。特別是英特爾的21億美元投資使他們獲得了ASML 10%的股份，并且英特爾也表示會持續(xù)投資直至增加到25%的占比。
有趣的是，ASML已經(jīng)在2021年達到了2680億美元，已經(jīng)超過了英特爾的市值。
臺積電在2020年8月份的一個報告中顯示，ASML的EUV光刻機中，有50%用于前沿工藝，而直至現(xiàn)在英特爾還沒有任何產(chǎn)品使用EUV制造，直至Intel 4中的后端制程（BEOL）才會加大力度。目前為止，ASML仍然有50臺EUV光刻機延遲交付，并計劃在2021年生產(chǎn)45到50臺EUV光刻機，2022年產(chǎn)量達到50-60臺，每臺設(shè)備標價1.5億美元，安裝時間需要4到6個月。
ASML的缺貨也可能給促使英特爾選擇在Intel 4發(fā)力的原因，但更重要的是，ASML下一代EUV技術(shù)，即High-NA EUV將會成為英特爾的主要制造技術(shù)之一。NA與EUV光刻機的數(shù)值孔徑相關(guān)，簡單的說是在EUV光束擊中晶圓之前，可以重新增強光束寬度，擊中晶圓的光束越寬，強度就越大，刻畫出的電路則越準確。
而如果依靠現(xiàn)在的工藝，一般會使用一維或二維光刻特征的雙重圖案化，亦或者四重圖案化來實現(xiàn)類似的效果，但會嚴重的降低產(chǎn)量，而High-NA EUV則不會遇到這個問題，顯然也更符合英特爾的預期。
如果一切順利，英特爾可能會在2024年獲得第一臺High-NA EUV光刻機，并在隨后逐步增加，數(shù)量越多，對英特爾的產(chǎn)量和優(yōu)勢也將越有利。
翻盤技術(shù)點1：RibbonFET
擁有更好的光刻機是遠遠不夠的，芯片設(shè)計將會成為英特爾重返巔峰的另一個砝碼。這里英特爾著重介紹了RibbonFET和PowerVias。
在目前的普遍認知中，常規(guī)FinFET一旦失去增長動力，整個半導體制造行業(yè)會轉(zhuǎn)向GAAFET，也就是Intel 20A中提到的環(huán)繞柵極晶體管設(shè)計（GAAFET）。為了便于大家理解，英特爾將其命名為RibbonFET。
RibbonFET的特點是擁有多層靈活寬度的晶體管以驅(qū)動電流。與FinFET依賴于源極/漏極的多個量化鰭片和多個鰭片軌跡的單元高度不同，RibbonFET允許單個鰭片長度可變，并且允許針對每個獨立單元進行功率、性能、面積優(yōu)化，相當于每一個單元的模塊都可以再定義電流，變化更為多樣性。
資料來自三星
英特爾同樣也是GAAFET的推動者之一，在RibbonFET的展示PPT中，可以看到同時使用了PMOS和NMOS器件，看起來像4堆棧結(jié)構(gòu)。而堆棧越多，增加的工藝步驟也就會越繁瑣。
不過與對手相比，英特爾的速度確實有些落后。臺積電計劃在2nm制程上過度到GAAFET，時間節(jié)點為2023年之后，三星則計劃在3GAP制程上部署更多產(chǎn)品，時間節(jié)點同樣為2023年。而英特爾的RibbonFET需要2024年上半年才會付諸實踐，并且實際產(chǎn)品還需要再往后延期一段時間。
翻盤技術(shù)點2：PowerVias
PowerVias是Intel 20A另一個重要設(shè)計之一。
現(xiàn)代電路設(shè)計是從晶體管層M0開始，向上不斷疊加大尺寸額外金屬層，以解決晶體管和處理器緩存、計算單元等各個部分之間的布線問題。高性能處理器通常有10到20層金屬層，最外層晶體管負責外部通訊。
而在PowerVias中，晶體管被放置于設(shè)計中間，晶體管一側(cè)放置通訊線，允許芯片之間各個部分進行通訊，所有電源相關(guān)的設(shè)計放在另一側(cè)，更確切的說，是晶體管背面，也就是我們常說的背面供電。
從整體來看，電源部分與通訊部分分開可以簡化很多不必要的麻煩，比如電源供電導致信號干擾。另一方面按，更近的通訊距離能夠降低能量損耗，運行方式更為高效。
當然，背面供電也并非十全十美，它對設(shè)計和制造都提出了更高的要求，例如在設(shè)計制造晶體管的時候，就必須更早的發(fā)現(xiàn)設(shè)計和制造缺陷，而不是現(xiàn)在可以供電與晶體管設(shè)計交替進行。同時由于供電部分的翻轉(zhuǎn)意味著實際發(fā)熱的時候，需要考慮熱量對信號的影響等等。
不過背面供電技術(shù)在行業(yè)內(nèi)其實被提出很多年，ARM和IMEC在2019年聯(lián)合宣布在3nm工藝的ARM Cortex-A53實現(xiàn)類似的技術(shù)，特別是在現(xiàn)在設(shè)計下，工藝節(jié)點提升開始難以換來對等的高性能，改變設(shè)計思路無疑是合理的解決方案。
下一代封裝：EMIB和Foveros
除了工藝節(jié)點，英特爾還需要推進下一代封裝技術(shù)。高性能芯片需求再加上困難的工藝節(jié)點開發(fā)，都使得處理器不再是單一的硅片，而是無數(shù)更小的芯片、模塊組合在一起，因此就需要更好的封裝和橋接技術(shù)。英特爾EMIB和Foveros就是其中的兩個。
EMIB：嵌入式多芯片互聯(lián)橋接
橋接技術(shù)最早給2D平面芯片橋接設(shè)計的。通常而言，兩個芯片之間的相互通訊最簡單的方法是穿過基板形成數(shù)據(jù)通路。基板是由絕緣材料層組成的印刷電路，其中散布著蝕刻軌道和金屬跡線。根據(jù)基板的質(zhì)量、物理協(xié)議和使用標準，可以得出傳輸數(shù)據(jù)時達到電力、帶寬損耗等等，這是最便宜的選擇。
基板的進階形式是，兩個芯片通過一個中介層橋接。中介層通常是一大塊硅片，面積足以讓兩個芯片貼合。類似于插座一般，硅片對應(yīng)不同芯片會提供相應(yīng)的接口，并且由于數(shù)據(jù)從硅片移動到硅片，功率損失要比基板小得多，帶寬也更高，缺點是作為中介層的硅片也需要額外制造，制程通常在65nm以上，并且所涉及的芯片要足夠小，否則成本降不下來。
英特爾EMIB則正好是中介層硅片以及基板的融合體。英特爾沒有使用大型的中介層，而是用小硅片將其嵌入到基板中，從而變成具備插口的橋接器，這使得橋接性能不會受到硅片成本過大，以及基板效率過低的影響。
但EMIB嵌入基板其實并不容易，英特爾已經(jīng)給為此花費了數(shù)年時間和資金完善這項技術(shù)，并且橋接過程中必然會存在良品率的問題，即使每個芯片橋接都能達到99%的林頻率，一旦多個芯片同時橋接，則會下降到87%。
目前已經(jīng)投放市場的EMIB技術(shù)有幾款產(chǎn)品，包括Stratix FPGA 和 Agilex FPGA 系列，以及前段時間在消費端火熱的Kaby Lake-G，將英特爾CPU和AMD GPU融合。接下來英特爾還計劃在超級計算機圖形處理器Ponte Vecchio、下一代至強Sapphire Rapids，2023年消費級處理器Meteor Lake，以及GPU相關(guān)芯片使用這項技術(shù)。
在EMIB線路圖上，英特爾計劃在未來幾年內(nèi)繼續(xù)縮小EMIB的觸點間距，以獲得更多的連接性能。2017年發(fā)布的第一代EMIB觸點間距為55微米，第二代EMIB將達到45微米，第三代EMIB則可能達到35微米。
Foveros：真正的疊疊樂
在2019年，英特爾在Lakefield上第一次使用了Foveros芯片到芯片的堆疊技術(shù)，雖然Lakefield這款低功耗移動處理器已經(jīng)停售，但是芯片到芯片堆疊技術(shù)開始陸續(xù)在其他產(chǎn)品中推廣開來。在很大程度上，芯片堆疊與EMIB部分中介層技術(shù)相似，所不同的是頂部的內(nèi)插器、基片需要上一層芯片的完整有源供電。例如Lakefield處理器部分使用的是10nm制程，但諸如PCIe通道、USB接口、安全性以及IO相關(guān)則通過22FFL低功耗制程連接。
雖然這仍然屬于EMIB技術(shù)的2D縮放范疇，但實際上這個操作已經(jīng)完成了完整的3D堆疊，并且功率損失更小，連接性更好，第一代Foveros觸點間距為50微米，而第二代Foveros則可以做到36微米觸點間距，連接密度增加一倍，最快會在消費級處理器Meteor Lake用上。
如果你聽說過英特爾封裝技術(shù)，縮寫ODI，即Omni-Directional Interconnect可能聽說過，這是一個允許使用懸臂硅的封裝技術(shù)名稱，在Foveros上變成了第三代Foveros Omni。
Foveros Omni使得原本第一代Foveros的頂部芯片尺寸限制被取消，可以允許每層多個尺寸芯片疊加。因為Foveros Omni允許銅柱通過基板一直延伸到供電部分，因此解決了大功率硅通孔（TSV）在信號中造成局部干擾的窘境。此時Foveros Omni觸點間距降低到25微米。如果一切順利，F(xiàn)overos Omni將會在2023年為批量生產(chǎn)做好準備。
緊接著第四代Foveros Direct能夠?qū)⒂|點間距降到的10微米，密度是Foveros Omni的六倍，并且使用全銅連接，擁有更低的功耗和電阻，推出的時間也在2023年，與Foveros Omni同步，以應(yīng)對不同成本和情況的解決方案。
寫在最后：性能突破終有時
英特爾給我們描繪了一個2025年的芯片制造的宏偉藍圖，而推動龐大計劃背后可能會有數(shù)百家供應(yīng)商與客戶的談判，而為了推進這項計劃，英特爾也不惜重金聘請以往在英特爾就職的專家和研究人員，進而推進當前的研究進度。
如果想從每瓦功率上有所突破，唯有不斷的將工藝、封裝、設(shè)計向前推進，同時考慮到客戶和市場的實際需求，做到多方面平衡相當不容易，但至少，我們看到了英特爾對重返巔峰充滿決心。
二、
三、教研2023年度工作計劃精選
教研2023年度工作計劃精選5篇
日子如同白駒過隙，我們的教研工作又將在忙碌中充實著，一起對今后的學習做個計劃吧。下面是我為大家精心整理的教研2023年度工作計劃精選，希望對大家有所幫助。
教研2023年度工作計劃精選篇1
一、指導思想
本學期以教務(wù)處工作計劃為工作指導思想，明確要求全組要嚴格教學常規(guī)管理，深化開展優(yōu)化教學全過程活
動，努力開展教學策略研究，抓好優(yōu)化課堂教學，注重新課程標準的學習與教研，突出課堂管理，加強聽課互評活動，確實能從課堂要效益，落實學校、教務(wù)處、備課組的各種工作要求，促進教師個人業(yè)務(wù)素質(zhì)的提高，提高本教研組整體教學效果。
二、工作內(nèi)容
1、繼續(xù)加強對《化學新課程標準》學習和研究，重點抓教學觀念的轉(zhuǎn)變，抓教學方式的改革。
2、依據(jù)《課程標準》制定本學期教學內(nèi)容難點、重點，組內(nèi)共同探討各項內(nèi)容的教學深淺與拓展程度，確切落實各階段的知識點教學任務(wù)，承上啟下全局把握。
3、加強集體備課活動，結(jié)合新課改研究，課的針對性、實效性。針對課堂教學和總復習的研究指導，組織教師總結(jié)經(jīng)驗。
4、教研組要經(jīng)常檢查組內(nèi)教師的教學進度，教學計劃的落實情況，以及是否按照教學常規(guī)完成教學設(shè)計(包括教學目標、重點、難點、反思及作業(yè)反饋)。教研活動要有詳細計劃(主題、主講人及內(nèi)容安排)與詳細的記錄。
5、加強化學課程與信息技術(shù)的整合，積極努力運用技術(shù)，提高教師信息技術(shù)運用能力。備課組老師制作的課件、各階段的考試試卷及考試分析的文稿資源庫，使信息技術(shù)在教研工作中發(fā)揮最大的作用。配合教務(wù)處做好教案的收集與檢查。
三、工作措施
1、從學生的實際出發(fā)，扎實開展新教材的研究，掌握教學的深廣度
2、重視實驗教學。要通過觀察自然現(xiàn)象，進行演示和做學生實驗，能夠使學生對化學知識獲得具體的明確的認識，培養(yǎng)學生的觀察能力和實驗?zāi)芰?，培養(yǎng)學生的實事求是的科學態(tài)度和提高學生學習化學的興趣，對每一個學生實驗，要弄清其實驗?zāi)康暮蛯嶒炘?，熟悉實驗器材，掌握實驗方法與步驟，對實驗中的現(xiàn)象要仔細觀察認真分析，能處理實驗中出現(xiàn)的非預期的現(xiàn)象，能準確記錄數(shù)據(jù)并能正確處理實驗數(shù)據(jù)以得出正確結(jié)論。
3、處理好轉(zhuǎn)差與提優(yōu)的關(guān)系提優(yōu)是培養(yǎng)尖子學生，為其成為尖端人才打好基礎(chǔ)，轉(zhuǎn)差是面向全體學生，實現(xiàn)整體優(yōu)化，目的是為國家多出人才、出好人才。無論是提優(yōu)還是轉(zhuǎn)差，我們都從改善心理素質(zhì)、抓好非智力因素著手，使他們?yōu)閷崿F(xiàn)不同的目標樹立信心，培養(yǎng)意志和克服困難的毅力，消除自滿或自卑的心理，為實現(xiàn)目標而奮斗。尖子學生采取自學為主、教師指導的方法培養(yǎng)他們的思維能力。差生和優(yōu)生都是相對的，是從不同目標和不同層次來衡量的。
轉(zhuǎn)差提優(yōu)是都要“動之以情、曉之以理、導之以行”，特別需要有熱心、細心、耐心，且有恒心，才能進入理想境界，實現(xiàn)整體優(yōu)化。
中考是對學生知識能力的全面考核，特別是化學試卷，知識覆蓋面廣，能力要求高，多數(shù)試題都是由兩個或多個知識點綜合而成。這就要求復習時要注意相關(guān)知識的聯(lián)系，深入了解知識鏈上的各個環(huán)節(jié)。為了夯實基礎(chǔ)，第一輪復習是關(guān)鍵，所以占了總復習時間的三分之二左右。因為，只有對所學知識準確、熟練地掌握和理解，才談得上知識的遷移和能力的提高。所以，第一輪復習要舍得花時間。要按各單元的考查點，從最基本的物理概念、規(guī)律的辨析開始;要重視課本知識，對課本上的A級考查點做到真正理解，對B級考查點做到熟練掌握;對課本上的插圖、演示實驗都應(yīng)弄清原理;對課本后的練習題都應(yīng)會做，在此基礎(chǔ)上總結(jié)每章的解題方法和技巧。
教研2023年度工作計劃精選篇2
一、指導思想：
以全面推進素質(zhì)教育和實施新課程改革，"以學論教、追求實效"為目標，以教育教學為先導，以校本研修為依托，以課程改革為突破口，以信息技術(shù)為載體，以加強師德修養(yǎng)位核心，以提高教育教學實踐能力、創(chuàng)新能力為重點，以圓滿完成學校各項工作計劃為工作指南，創(chuàng)造性地開展綜合組各學科教育教學工作，夯實學科教研，強化師資隊伍建設(shè)，發(fā)掘教師才能，齊心協(xié)力，努力奮斗，爭創(chuàng)學校優(yōu)秀教研組。
二、工作重點及要求：
1、認真做好新課程實驗工作，限度地提高課堂教學效果。
2、加強組內(nèi)教研，做好聽課評課工作，使組內(nèi)教師課堂教學水平得以提高。認真?zhèn)湔n，學習各學科的課程標準，加強集體備課，提高備課質(zhì)量，為上課做好準備。認真執(zhí)行學校的上課、聽課制度，并通過聽課使本組教師在教學能力上有所提高。在課堂教學中，以新的課程改革精神為指針。改進教學方式，使本教研組的課具有自己的特點。教學要面向每一位學生，重視每一位學生的發(fā)展，幫助學生樹立信心，促進學生生動、活潑、主動的發(fā)展。
3、公開課：講課者交授課教案，教研組整理活動記錄，聽課教師要認真評課，對授課內(nèi)容提出建設(shè)性意見。授課者要客觀地對待他人的意見和建議，并對授課內(nèi)容做好記錄。
4、加強教科研方面工作力度，并以論文或案例形式體現(xiàn)。
5、體育組作好各項日常工作，積極訓練，備戰(zhàn)學校運動會。
6、音樂組要積極組織特長學生的培訓及各班的教學工作，力爭在本學期的藝術(shù)節(jié)比賽中取得佳績。
7、美術(shù)組在搞好日常教學工作的同時著重培養(yǎng)特長學生，積極參加各種比賽，力爭藝術(shù)節(jié)取得好成績。
8、科學要充分挖掘?qū)W生的動手、動腦的的實踐操作能力，多為有創(chuàng)作興趣的學生提供幫助，培養(yǎng)他們的制作技巧。
9、信息技術(shù)學科搞好正常教學外，讓學生多上機，多動腦，體現(xiàn)學科特色，充分利用好教學軟件，提高學生興趣。并著重特長生的培養(yǎng)，積極參加各種比賽。
10、齊心協(xié)力團結(jié)協(xié)作。團結(jié)協(xié)作、形成凝聚力是教研組建設(shè)的前提。教研組的建設(shè)無論是在教育、教學還是學科活動，首先是要靠教研組各位老師的共同努力，只有互相幫助，團結(jié)協(xié)作，擰成一股繩，才能共同進取，搞好教研組的建設(shè)。
11、正常開展教研活動，固定每學期活動次數(shù)；平時遇有問題就及時碰頭、相互討論、及時解決。教研活動專時專用，保質(zhì)保量、內(nèi)容豐富：每次都有專人負責主講及開設(shè)教研公開課，組織大家學習理論知識，收集交流教改信息。相互學習、互相促進，切實運用現(xiàn)代化信息技術(shù)在課堂教學中進行有效的運用，同時充分運用網(wǎng)絡(luò)優(yōu)勢，提倡組內(nèi)教師上網(wǎng)學習。多學習、多研究、多探討，不斷學習，努力改進教學策略和教學方法，使課堂教學更具生命力。
三、工作目標與任務(wù)：
1、端正教學思想，改變教育觀念，上好每門課程，教好每一節(jié)課。
2、科任教師認真研讀本學科的課程標準與教材，聯(lián)系學生實際，探索教法，編寫好教案，上好每一節(jié)課。
3、編寫教案，課堂教學必須重視實驗操作指導，不僅要求學生會做實驗，還要注意安全指導。
4、課堂教學要體現(xiàn)開放性，鼓勵創(chuàng)造性，強調(diào)實用性。
5、每門課程的教學要落實養(yǎng)成教育，把養(yǎng)成教育貫穿到每一節(jié)課。
6、每個教師一個學期規(guī)定讀好兩本書。
7、定期組織組內(nèi)理論學習（共計16次）。
8、新青年教師每個月上傳兩篇讀后感。
9、每周組織一次課堂教學研討會（共計16次）。
10、新青年教師每月上一節(jié)公開課。
11、組建新課題研究小組。
四、加強學習，提高教師自身素質(zhì)：
1、各科任教師必須認真研讀本學科課程標準，用新的教育理念武裝自己的頭腦。
2、自我檢查反省，明白自己知識技能的工匠薄弱點，努力學習改進。
3、研讀本學科系列教科書，了解本學科各年級知識點的縱向發(fā)展聯(lián)系及向其他科目橫向滲透情況。
4、教師之間相互學習，經(jīng)常相互聽課，評課，汲取新的教學經(jīng)驗，取長補短，
五、實施辦法：
1、學期初訂好教學計劃，切實按計劃開展自修和教學活動。
2、自學過程中，要認真寫好讀書筆記。
3、落實周查制度，重查課堂教學及方法。
4、在教導處指導下，開展好教研活動。
教研2023年度工作計劃精選篇3
新的學期，新的起點、新的目標、新的希望，新的舉措、新的成效。讓我們數(shù)學教研組所有的老師們在新學期一如既往、精誠團結(jié)、共同開創(chuàng)新學期的教學教研新局面！為了更好地落實數(shù)學教研組的工作，為了讓教師們更好地發(fā)展，為了讓我們的數(shù)學課堂充滿勃勃活力和生機，為了讓我們的教學質(zhì)量不斷得以提高。特制定本學期的教研計劃如下：
一、開展課堂教學研究。
1、切實抓好本校數(shù)學優(yōu)秀教師、骨干教師的帶頭作用，提高本校數(shù)學教師的教學技能。教師之間要互相幫助，取長補短，要加強協(xié)作活動，青年教師要大膽嘗試，勇于創(chuàng)新，不斷實踐，善于總結(jié)。爭取學校之間的聯(lián)研活動，切實研討課堂教學的效率問題，探討教師集體備課活動的新路子。
2、提高教學質(zhì)量的關(guān)鍵在于平時的課堂教學，本學期我校將繼續(xù)堅持每周四的教研活動，采用理論學習、座談交流等形式開展有針對性和實效性的教研活動，教研活動以聽課+交流+反思的過程進行，通過上公開課——組織聽課——討論評議，課后寫好課后反思，以此改進教學方法，深化教學改革，共同提高勵學生做好作業(yè)的信心，調(diào)動學生做作業(yè)的積極性。作業(yè)的書寫必需用正楷字，批改要當天完成，每個學生的作業(yè)每周至少有一次鼓勵性的評語。
2、家庭作業(yè)：一、二年級學生不留書面家庭作業(yè)。三至六年級應(yīng)按規(guī)定布置家庭作業(yè)。強調(diào)分層要求，提高正確率。即：有些題目有些學生可以不做；凡要求做的題目必須書寫認真、解題正確，還要保護好作業(yè)本。這是習慣培養(yǎng)，是提高學生認真做好作業(yè)的責任性的有效舉措，很重要。家庭作業(yè)的批改可以采用多種形式完成。（家庭作業(yè)的量一定要和其他老師協(xié)商布置）
3、數(shù)學周記：本學期我校開始嘗試進行數(shù)學周記的訓練。每學期10次，低年級不設(shè)置數(shù)學周記，中高年級可以適當開放些。
4、基礎(chǔ)訓練：除了作為書面作業(yè)詳細批閱以外，其余部分必需全批全改。
5、實踐作業(yè)：一方面要根據(jù)教材內(nèi)容、學生特點布置統(tǒng)一的比如測量、購買、調(diào)查等應(yīng)用知識與技能的內(nèi)容，另一方面要指導學生用恰當?shù)姆绞絹肀磉_實踐性作業(yè)的內(nèi)容。切忌用單純的計算練習代替實踐作業(yè)。
二、提高學生學習的興趣，加強培優(yōu)補差工作
1、要提高學生學習數(shù)學的興趣。努力提高課堂質(zhì)量，每堂課要以新理念為指導，根據(jù)學生的實際情況設(shè)計教學方案，力求把數(shù)學課上得生動、有趣，使學生樂學、愛學。鼓勵各班根據(jù)實際情況開展豐富多彩的教學活動。本學期要求各班開展一次數(shù)學競賽活動，創(chuàng)設(shè)良好的競爭氛圍，激發(fā)學生學習數(shù)學的興趣。
2、針對學生的個別差異，抓好培優(yōu)補差工作,大面積提高教學質(zhì)量。要抓好后進生的`轉(zhuǎn)化工作。作為一名教師，要堅持不放棄每一個后進生，要以良好的心態(tài)接納他們，給他們以更多的關(guān)心和愛護，相信每一個學生都能學到自己適合的數(shù)學，讓他們在數(shù)學學習上有所進步，以提高數(shù)學成績的合格率。
20__-20__年第一學期數(shù)學教研組工作安排
九月份：
1、制定教學計劃；
2、制定培優(yōu)輔差計劃；
3、教學常規(guī)檢查；
4、規(guī)范備課和作業(yè)批改；
6、新教師匯報課。
十月份：
1、作業(yè)批改檢查；
2、教研課與青年教師隨堂聽課繼續(xù)
3、數(shù)學周記執(zhí)行情況檢查；
十一月份：
1、開展校內(nèi)公開課（聯(lián)?；顒樱?/p>
2、進行期中考試與質(zhì)量分析；
3、教學常規(guī)檢查；
十二月份：
1、教學進度、備課、作業(yè)檢查；
2、數(shù)學周記落實檢查和質(zhì)量分析；
3、數(shù)學競賽活動安排。
一月份：
1、教學常規(guī)檢查；
2、做好期末復習工作；
3、撰寫教學論文一篇（教學工作總結(jié)）
（以上計劃均以學校、教導處活動為主，及時調(diào)整）
20__年8月31日
教研2023年度工作計劃精選篇4
一、指導思想：
在“以教育信息化帶動教育現(xiàn)代化”總的指導思想指引下，以校領(lǐng)導的現(xiàn)代教育理念為方向，認真貫徹課改精神，立足以學生為中心，以信息技術(shù)課程教學和培養(yǎng)學生的創(chuàng)新能力，合作能力、進取能力為重點，更新教師教育理念。
二、加強教研組自身建設(shè)，做好校本教研工作。
積極組織教研組成員學習有關(guān)課程改革的教學理論和信息科技知識，不斷提高自身信息素養(yǎng)。通過開展推門聽課活動，共同研究和探討信息科技教學工作。同時積極開展教科研活動，堅持每兩周組織一次教研組活動，確保教研活動有成效，每次活動重點解決一、兩個問題。通過試講、集體聽課、經(jīng)驗交流等教研活動形式，促進教師的教學水平的提高。
三、做好學校的常規(guī)管理，扎實各項工作。
本學期一年級教學重點放在基本功訓練上，二年級教學重點放在計算機操作技能的提高上，堅持理論和實訓同步，教學和訓練的任務(wù)雖然繁重，要求每位教師要認真地備好、上好每一堂課，向40分鐘要質(zhì)量、要效率。
四、開展豐富多彩的教學活動。
1、配合教務(wù)處工作，組織開展全校計算機課程學生大賽活動；
2、要求組員完成好各自的教育教學任務(wù)，做好新教師匯報課準備。要求組員上課前一定要認真?zhèn)浜谜n，上課時要抱著對學生認真負責的態(tài)度，學生的問題要認真、耐心的解答，對待學生要一視同仁；
3、完成教務(wù)處和教科處制訂的教研工作。通過教研，提高計算機課程教學質(zhì)量，并在教學中發(fā)現(xiàn)新問題，研究并解決；
4、積極培養(yǎng)優(yōu)秀中青年教師，并通過參加各項比賽來不斷地提高教師的教學教研水平；
5、組織、輔導學生完成學業(yè)水平考試，力爭100%以上的學生考試過關(guān)。
6、作好6月教師信息化技能大賽準備和組織工作。
五、配合學校的其它任務(wù)安排。
在做好本職工作之余，積極地配合學校下達的其他各項任務(wù)。另外，作為學校重要的一部分——機房維護與管理有專人負責，保證學生們的上機正常，還要求組員熱情、生動地給有關(guān)學科教師提供技術(shù)幫助。
教研2023年度工作計劃精選篇5
一個新的學期又開始了，今年是綜合組又加進了新的學科，使我組的老師數(shù)量又增加了。按照學校大力發(fā)展小學科的計劃，為了使能我校音體美、信息技術(shù)，英語教學，勞技工作在新學期里能夠按部就班地開展，是綜合組快速的完善，就需要制定一個完整而周密的計劃?，F(xiàn)計劃如下：
一、指導思想：
以繼續(xù)推進“教學四項規(guī)范達標”工作的指示,提高全組老師的教學素質(zhì),培養(yǎng)適應(yīng)21世紀教育的優(yōu)秀教師圍繞“課改、提質(zhì)、創(chuàng)新、發(fā)展”的教育命題，展開教研組研訓，認真搞好教研組的各項活動。為此本學期本教研組工作重點是認真學習音體美、信息技術(shù)，英語學科的新課程標準，并在具體的教學中認真貫徹，激發(fā)和培養(yǎng)學生學習音體美、英語，勞技，校本的興趣，培養(yǎng)具有創(chuàng)造性和創(chuàng)新力的學生。
二、教研工作目標：
1、建立新的常規(guī)管理機制，加強調(diào)查研究，指導本教研組教師工作,使本組教師均能順利通過區(qū)教師四項常規(guī)達標。
2、抓實抓好特長平時輔導，把“小組合作教學”落實到課堂中去。
3、認真貫徹音體美、信息技術(shù)，英語新課程標準，轉(zhuǎn)變教育觀念，改革課堂教學建設(shè)高素質(zhì)教師隊伍，激發(fā)學生的學習興趣，提高課堂教學效率。
4、積極參加創(chuàng)建市藝術(shù)教育示范校。
三、 教研工作重點：
為了更好地配合學校推進“教學四項規(guī)范達標”創(chuàng)建市藝術(shù)教育示范校，本學期在本組學科方面的教學研究工作做如下安排：
1、根據(jù)教材的特點，要求教師在教學過程中注重理論聯(lián)系實際，與其它學科的結(jié)合，取長補短，提高教學質(zhì)量和教學效果。
2、根據(jù)學生的生理和心理特點，結(jié)合創(chuàng)新、發(fā)展的需要，激發(fā)學生對音體美英語的興趣。培養(yǎng)他們積極創(chuàng)造習慣。
3、運用現(xiàn)代化的教學手段，提高知識技能的傳授效益。
4、探索合理的課堂教學結(jié)構(gòu)，創(chuàng)造多樣的教學方法，營造輕松愉快的課堂氣氛。
四、工作措施：
1、各學科圍繞“課堂教學語言評價”這一主題，推薦本組一位老師在本學期進行一次教學研討。
2、鼓勵教師進行業(yè)務(wù)進修提高，多閱讀教學書刊，定期組織教師進行讀書交流會，并撰寫教學論文。
3、集體學習討論課堂教學該如何評價，并貫徹到教學中。
四、20.98萬起售，比亞迪漢EV/唐DM-i冠軍版上市
在當下我們國產(chǎn)新能源汽車品牌當中，比亞迪可以說是有著較高的地位以及影響力，面對競爭愈演愈烈的新能源汽車市場，它不斷提升技術(shù)以及品質(zhì)，加上價格的親民，受到了國內(nèi)越來越多消費者的喜愛與追捧。近日，2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版正式迎來上市，其中，2023款漢EV冠軍版指導售價為：20.98萬元-29.98萬元，新車共推出了5款配置車型可選，2023款唐DM-i冠軍版指導售價為：20.98萬元-23.38萬元，新車共推出了3款配置車型可選，對于新車20.98萬元起的售價，不知道你是否感到心動呢？此次2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版的到來，又將會帶給我們哪些驚喜呢？下面就跟隨小編一起來了解一下吧。
首先在造型設(shè)計方面，2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版相較于現(xiàn)款車型，并沒有進行明顯的改動，其中，2023款漢EV冠軍版為了滿足不同消費者的審美需求，新增了“冰封藍”車身涂裝，前臉采用了比亞迪Dragon Face的設(shè)計語言，加上兩側(cè)狹長且犀利的大燈組，以及前包圍兩側(cè)的黑色裝飾件，使其整體看上去年輕且動感。
2023款唐DM-i冠軍版同樣也是新增了冰川藍的車身涂裝，前臉橫幅式鍍鉻裝飾的格柵設(shè)計，極具視覺上的沖擊力，碩大的“唐”字車標采用了藍底的設(shè)計，以此來彰顯自身與眾不同的身份，采用LED光源的銳利大燈，加上下方兩側(cè)黑色飾條裝飾的導流槽，使其整體看上去硬朗且大氣，不得不說，不管是2023款漢EV冠軍版還是2023款唐DM-i冠軍版，它們的設(shè)計風格基本上迎合了當下大多數(shù)消費者的審美，不管是年輕朋友還是年紀稍大的朋友，應(yīng)該都會對它們感到有所心動。
值得一提的就是，2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版車身數(shù)據(jù)基本與現(xiàn)款車型保持一致，其中，2023款漢EV冠軍版長寬高分別為：4995/1910/1495毫米，軸距為2920毫米，2023款唐DM-i冠軍版長寬高分別為：4870/1950/1725毫米，軸距為2820毫米，得益于較為良好的車身數(shù)據(jù)表現(xiàn)，所以它們的實際內(nèi)部空間，都還較為寬敞充裕，其中，2023款漢EV冠軍版頂配車型（售價29.98萬元），第二排座椅還可以進行電動調(diào)節(jié)，并且還配備有座椅加熱/通風功能，2023款唐DM-i冠軍版采用的是2+3+2的座椅布局，前排座椅配備有加熱通風功能，第二排座椅可以進行前后/靠背調(diào)節(jié)，并且后排座椅還可以按一定比例進行放倒，一定程度上提升了整體的空間利用率。
內(nèi)飾設(shè)計方面，2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版同樣也是延續(xù)了現(xiàn)款車型的設(shè)計風格，只不過在配置上進行了一定程度的優(yōu)化升級，其中，2023款漢EV冠軍版依舊提供的是12.3英寸的全液晶儀表盤和15.6英寸自適應(yīng)旋轉(zhuǎn)中控屏，并搭載了DiLink 4.0（5G）智能網(wǎng)聯(lián)系統(tǒng)，全系標配有：360度全景影像、全速自適應(yīng)巡航、懸架軟硬調(diào)節(jié)、L2級輔助駕駛、遠程啟動、全車四音區(qū)智能語音交互、電動尾門、多色氛圍燈、熱泵空調(diào)、蘋果NFC車鑰匙等豐富配置，其中，兩驅(qū)版車型還標配FSD可變阻尼懸架系統(tǒng)，四驅(qū)版車型標配DiSus-C智能電控主動懸架系統(tǒng)。2023款唐DM-i冠軍版全系標配FSD可變阻尼懸架系統(tǒng)、鋁合金多連桿懸架，并且全系標配：540度透明底盤、遙控泊車、星空天窗、對外放電、內(nèi)置行車記錄儀、前排多層隔音玻璃、手機NFC車鑰匙等配置。
動力方面，2023款比亞迪EV冠軍版提供單電機前驅(qū)和雙電機四驅(qū)可選，并提供506公里、605公里、610公里、715公里四種續(xù)航可選，2023款唐DM-i冠軍版搭載1.5T發(fā)動機和單電機組成的插電式混合動力系統(tǒng)，其中，1.5T發(fā)動機最大功率102千瓦，峰值扭矩231牛·米，電動機最大功率160千瓦，峰值扭矩325牛·米，0-50公里/小時加速僅需4.3秒，NEDC純電續(xù)航里程為112公里，WLTC綜合油耗為1.27升/百公里。綜合而言，2023款漢EV冠軍版和2023款唐DM-i冠軍版，它們主要就是針對配置上進行了一定程度的優(yōu)化升級，關(guān)鍵起售價才20.98萬元，對于這樣親民的價格，相信它們未來銷量都會很出色，如果你手握20多萬購車預算，你會不會考慮它們呢？歡迎在下方一起交流探討一下。（十八/編輯）
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